Irradiated graphene as a tunable Floquet topological insulator

Fil: Usaj, Gonzalo. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche; Argentina.

Bibliographic Details
Main Authors: Usaj, Gonzalo, Pérez Piskunow, Pablo Matías, Foa Torres, Luis Eduardo Francisco, Balseiro, Carlos A.
Format: publishedVersion
Language:eng
Published: 2021
Subjects:
Online Access:http://hdl.handle.net/11086/20395
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.90.115423
_version_ 1801211393169424384
author Usaj, Gonzalo
Pérez Piskunow, Pablo Matías
Foa Torres, Luis Eduardo Francisco
Balseiro, Carlos A.
author_facet Usaj, Gonzalo
Pérez Piskunow, Pablo Matías
Foa Torres, Luis Eduardo Francisco
Balseiro, Carlos A.
author_sort Usaj, Gonzalo
collection Repositorio Digital Universitario
description Fil: Usaj, Gonzalo. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche; Argentina.
format publishedVersion
id rdu-unc.20395
institution Universidad Nacional de Cordoba
language eng
publishDate 2021
record_format dspace
spelling rdu-unc.203952022-10-13T11:06:51Z Irradiated graphene as a tunable Floquet topological insulator Usaj, Gonzalo Pérez Piskunow, Pablo Matías Foa Torres, Luis Eduardo Francisco Balseiro, Carlos A. Graphene Topological insulators Chern numbers Floquet publishedVersion Fil: Usaj, Gonzalo. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche; Argentina. Fil: Usaj, Gonzalo. Comisión Nacional de Energía Atómica. Instituto Balseiro; Argentina. Fil: Usaj, Gonzalo. Universidad Nacional de Cuyo. Instituto Balseiro; Argentina. Fil: Usaj, Gonzalo. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Fil: Pérez Piskunow, Pablo Matías. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Instituto de Física Enrique Gaviola; Argentina. Fil: Pérez Piskunow, Pablo Matías. Universidad Nacional de Córdoba. Facultad de Matemática, Astronomía y Física; Argentina. Fil: Foa Torres, Luis Eduardo Francisco. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Instituto de Física Enrique Gaviola; Argentina. Fil: Foa Torres, Luis Eduardo Francisco. Universidad Nacional de Córdoba. Facultad de Matemática, Astronomía y Física; Argentina. Fil: Balseiro, Carlos A. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche; Argentina. Fil: Balseiro, Carlos A. Comisión Nacional de Energía Atómica. Instituto Balseiro; Argentina. Fil: Balseiro, Carlos A. Universidad Nacional de Cuyo. Instituto Balseiro; Argentina. Fil: Balseiro, Carlos A. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. In the presence of a circularly polarized mid-infrared radiation graphene develops dynamical band gaps in its quasienergy band structure and becomes a Floquet insulator. Here, we analyze how topologically protected edge states arise inside these gaps in the presence of an edge. Our results show that the gap appearing at hΩ/2, where hΩ is the photon energy, is bridged by two chiral edge states whose propagation direction is set by the direction of the polarization of the radiation field. Therefore, both the propagation direction and the energy window where the states appear can be controlled externally. We present both analytical and numerical calculations that fully characterize these states. This is complemented by simple topological arguments that account for them and by numerical calculations for the case of the semi-infinite sample, thereby eliminating finite-size effects. publishedVersion Fil: Usaj, Gonzalo. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche; Argentina. Fil: Usaj, Gonzalo. Comisión Nacional de Energía Atómica. Instituto Balseiro; Argentina. Fil: Usaj, Gonzalo. Universidad Nacional de Cuyo. Instituto Balseiro; Argentina. Fil: Usaj, Gonzalo. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Fil: Pérez Piskunow, Pablo Matías. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Instituto de Física Enrique Gaviola; Argentina. Fil: Pérez Piskunow, Pablo Matías. Universidad Nacional de Córdoba. Facultad de Matemática, Astronomía y Física; Argentina. Fil: Foa Torres, Luis Eduardo Francisco. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Instituto de Física Enrique Gaviola; Argentina. Fil: Foa Torres, Luis Eduardo Francisco. Universidad Nacional de Córdoba. Facultad de Matemática, Astronomía y Física; Argentina. Fil: Balseiro, Carlos A. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche; Argentina. Fil: Balseiro, Carlos A. Comisión Nacional de Energía Atómica. Instituto Balseiro; Argentina. Fil: Balseiro, Carlos A. Universidad Nacional de Cuyo. Instituto Balseiro; Argentina. Fil: Balseiro, Carlos A. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Física de los Materiales Condensados 2021-09-21T16:32:43Z 2021-09-21T16:32:43Z 2014 article Usaj, G., Pérez Piskunow, P. M., Foa Torres, L. E. F. y Balseiro, C. A. (2014). Irradiated graphene as a tunable Floquet topological insulator. Physical Review B, 90 (11), 115423. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.90.115423 http://hdl.handle.net/11086/20395 https://doi.org/10.1103/PhysRevB.90.115423 eng Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/ Impreso; Electrónico y/o Digital ISSN 1098-0121
spellingShingle Graphene
Topological insulators
Chern numbers
Floquet
Usaj, Gonzalo
Pérez Piskunow, Pablo Matías
Foa Torres, Luis Eduardo Francisco
Balseiro, Carlos A.
Irradiated graphene as a tunable Floquet topological insulator
title Irradiated graphene as a tunable Floquet topological insulator
title_full Irradiated graphene as a tunable Floquet topological insulator
title_fullStr Irradiated graphene as a tunable Floquet topological insulator
title_full_unstemmed Irradiated graphene as a tunable Floquet topological insulator
title_short Irradiated graphene as a tunable Floquet topological insulator
title_sort irradiated graphene as a tunable floquet topological insulator
topic Graphene
Topological insulators
Chern numbers
Floquet
url http://hdl.handle.net/11086/20395
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.90.115423
work_keys_str_mv AT usajgonzalo irradiatedgrapheneasatunablefloquettopologicalinsulator
AT perezpiskunowpablomatias irradiatedgrapheneasatunablefloquettopologicalinsulator
AT foatorresluiseduardofrancisco irradiatedgrapheneasatunablefloquettopologicalinsulator
AT balseirocarlosa irradiatedgrapheneasatunablefloquettopologicalinsulator